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Nom De Marque: | PRECISE INSTRUMENT |
Numéro De Modèle: | CS300 |
Nombre De Pièces: | 1 Unité |
Délai De Livraison: | 2 à 8 semaines |
Conditions De Paiement: | T/T |
300V 1A Unité modulaire SMU sous-carte à canal unique DC Source Unité de mesure CS300
La sous-carte modulaire CS300 est un élément clé des unités de mesure de source (UMS) de haute précision de la série CS, conçues pour la caractérisation électrique haute tension et haute précision.En tant que module SMU à canal unique, il s'intègre parfaitement dans les systèmes hôtes 1003CS ou 1010CS, prenant en charge le fonctionnement en quatre quadrants (mode source/fonctionnement) pour répondre aux exigences d'essai de précision des dispositifs à semi-conducteurs, des nanomatériaux,avec une puissance maximale de 300V/1A, combinée à une large plage dynamique et à un déclenchement synchronisé,il offre une stabilité exceptionnelle dans des scénarios de test complexes tels que les tests de contrainte des dispositifs de puissance et l'analyse des matériaux à film mince.
Caractéristiques du produit
▪Le jeu de commandes standard de l' SCPI:Simplifie l'intégration de l'automatisation et le script personnalisé.
▪Flexibilité de plusieurs sous-carte:Une architecture évolutive pour les configurations de test parallèles.
▪Logiciel hôte optimisé:Logiciel hôte universel préinstallé avec une latence de commande de < 10 ms.
▪Écosystème de test de bout en bout:Des solutions unifiées allant des matériaux semi-conducteurs à la validation des dispositifs.
▪Modularité efficace en termes d'espace:La conception de hauteur 1U maximise la densité des racks tout en minimisant l'empreinte.
Paramètres du produit
Les postes |
Paramètres |
Nombre de chaînes |
1 chaîne |
Plage de tension |
300 mV à 300 V |
Résolution de tension minimale |
30 uV |
Portée actuelle |
100nA1A |
Résolution actuelle minimale |
10 pA |
Puissance de sortie maximale en ondes continues (CW) |
30 W, mode source ou capteur à 4 quadrants |
Limites de la source de tension |
±30V (pour la plage ≤1A), ±300V (pour la plage ≤100mA) |
Limites actuelles de la source |
±1A (pour la plage ≤30V), ±100mA (pour la plage ≤300V) |
Capacité de charge stable |
< 22 nF |
Bruit à large bande (20 MHz) |
2mV RMS (valeur typique), < 20mV Vp-p (valeur typique) |
Taux maximal d'échantillonnage |
1000 S/s |
Précision de mesure de la source |
00,10% |
Les hôtes avec lesquels il est compatible |
1003C, 1010C |
Applications
▪Tests de dispositifs à semi-conducteurs:Caractérisation IV et tests de paramètres dynamiques de dispositifs discrets (MOSFET, BJT, dispositifs SiC).
▪La recherche sur les nanomatériaux et les matériaux organiquesÉvaluation des propriétés de conductivité et de charge pour le graphène, les nanofils et les matériaux semi-conducteurs organiques.
▪Validation de l'efficacité énergétique du dispositif:Analyse de l'efficacité et caractérisation de la régulation de la charge des cellules solaires et des convertisseurs CC-CC.Sensors et essais de composants de précision.Validation des capteurs à effet Hall, mesure de la résistivité,et d'essais de stabilité à long terme pour les dispositifs à faible puissance.
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Nom De Marque: | PRECISE INSTRUMENT |
Numéro De Modèle: | CS300 |
Nombre De Pièces: | 1 Unité |
Détails De L'emballage: | Une boîte. |
Conditions De Paiement: | T/T |
300V 1A Unité modulaire SMU sous-carte à canal unique DC Source Unité de mesure CS300
La sous-carte modulaire CS300 est un élément clé des unités de mesure de source (UMS) de haute précision de la série CS, conçues pour la caractérisation électrique haute tension et haute précision.En tant que module SMU à canal unique, il s'intègre parfaitement dans les systèmes hôtes 1003CS ou 1010CS, prenant en charge le fonctionnement en quatre quadrants (mode source/fonctionnement) pour répondre aux exigences d'essai de précision des dispositifs à semi-conducteurs, des nanomatériaux,avec une puissance maximale de 300V/1A, combinée à une large plage dynamique et à un déclenchement synchronisé,il offre une stabilité exceptionnelle dans des scénarios de test complexes tels que les tests de contrainte des dispositifs de puissance et l'analyse des matériaux à film mince.
Caractéristiques du produit
▪Le jeu de commandes standard de l' SCPI:Simplifie l'intégration de l'automatisation et le script personnalisé.
▪Flexibilité de plusieurs sous-carte:Une architecture évolutive pour les configurations de test parallèles.
▪Logiciel hôte optimisé:Logiciel hôte universel préinstallé avec une latence de commande de < 10 ms.
▪Écosystème de test de bout en bout:Des solutions unifiées allant des matériaux semi-conducteurs à la validation des dispositifs.
▪Modularité efficace en termes d'espace:La conception de hauteur 1U maximise la densité des racks tout en minimisant l'empreinte.
Paramètres du produit
Les postes |
Paramètres |
Nombre de chaînes |
1 chaîne |
Plage de tension |
300 mV à 300 V |
Résolution de tension minimale |
30 uV |
Portée actuelle |
100nA1A |
Résolution actuelle minimale |
10 pA |
Puissance de sortie maximale en ondes continues (CW) |
30 W, mode source ou capteur à 4 quadrants |
Limites de la source de tension |
±30V (pour la plage ≤1A), ±300V (pour la plage ≤100mA) |
Limites actuelles de la source |
±1A (pour la plage ≤30V), ±100mA (pour la plage ≤300V) |
Capacité de charge stable |
< 22 nF |
Bruit à large bande (20 MHz) |
2mV RMS (valeur typique), < 20mV Vp-p (valeur typique) |
Taux maximal d'échantillonnage |
1000 S/s |
Précision de mesure de la source |
00,10% |
Les hôtes avec lesquels il est compatible |
1003C, 1010C |
Applications
▪Tests de dispositifs à semi-conducteurs:Caractérisation IV et tests de paramètres dynamiques de dispositifs discrets (MOSFET, BJT, dispositifs SiC).
▪La recherche sur les nanomatériaux et les matériaux organiquesÉvaluation des propriétés de conductivité et de charge pour le graphène, les nanofils et les matériaux semi-conducteurs organiques.
▪Validation de l'efficacité énergétique du dispositif:Analyse de l'efficacité et caractérisation de la régulation de la charge des cellules solaires et des convertisseurs CC-CC.Sensors et essais de composants de précision.Validation des capteurs à effet Hall, mesure de la résistivité,et d'essais de stabilité à long terme pour les dispositifs à faible puissance.