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Détails des produits

Created with Pixso. À la maison Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Systèmes d'essai des semi-conducteurs
Created with Pixso. Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

Nom De Marque: PRECISE INSTRUMENT
Nombre De Pièces: 1 Unité
Délai De Livraison: 2 à 8 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Fréquence des essais:
10 Hz à 1 MHz
Précision:
±0,01 %
Plage d'essai de la capacité:
0.01pF ¥ 9.9999F
Détails d'emballage:
Une boîte.
Capacité d'approvisionnement:
500 SET/MONTH
Mettre en évidence:

Appareil de puissance par semi-conducteur de 1 MHz

,

Dispositif d'alimentation par semi-conducteur de 10 Hz

,

Système de caractérisation des semi-conducteurs CV

Description du produit

Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

La mesure de la capacité-tension (C-V) est largement utilisée pour caractériser les paramètres des semi-conducteurs, en particulier dans les condensateurs MOS (MOS CAP) et les structures MOSFET.La capacité d'une structure MOS est fonction de la tension appliquéeLa courbe représentant la variation de la capacité avec la tension est appelée courbe C-V (ou caractéristiques C-V).

·Épaisseur de la couche d'oxyde (dox)

·Concentration de dopage dans le substrat (Nn)

·Densité de charge mobile dans l'oxyde (Q1)

·Densité de charge d'oxyde fixe (Qfc).

 

Caractéristiques du produit

Plage de fréquences large: 10 Hz ∼1 MHz avec des points de fréquence réglables en continu.

"Précision élevée et large plage dynamique": plage de biais de 0 V à 3500 V avec une précision de 0,1%.

Test CV intégré: Le logiciel de test CV automatisé intégré prend en charge plusieurs fonctions, notamment C-V (tension-capacitance), C-T (temps-capacitance) et C-F (fréquence-capacitance).

IV Compatibilité d'essai: mesure simultanément les caractéristiques de rupture et le comportement du courant de fuite.

Planning de courbe en temps réel: une interface logicielle intuitive visualise les données de test et les courbes pour une surveillance en temps réel.

Haute évolutivité: la conception modulaire du système permet une configuration flexible en fonction des besoins de test.


Paramètres du produit

Les postes

Paramètres

Fréquence des essais

10 Hz à 1 MHz

Précision de sortie de fréquence

± 0,01%

La précision de base

± 0,5%

Niveau du signal d'essai CA

Résolution de 10 mV à 2 Vrms (1m Vrms)

Niveau du signal d'essai CC

10 mV à 2 V (1 m Vrms résolution)

Impédance de sortie

100Ω

Plage d'essai de la capacité

0.01pF ¥ 9.9999F

Plage de biais du VGS

Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage.

Plage de biais VDS

300 V à 1200 V

Paramètres d'essai

DIODE:CJ,IR,VR

MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS Les données sont fournies par les fournisseurs.

IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES, qui est le nombre de points de contact entre les équipements de l'unité et les équipements de l'autre.

Interface

Résistance à la combustion

Protocole de programmation

SCPI, vue du laboratoire.

 

Applications

Nanomatériaux: résistivité, mobilité du support, concentration du support, tension de hall

Matériaux flexibles: essai de traction/torsion/flexion, temps de tension (V-t), temps de courant (I-t), temps de résistance (R-t), résistance, sensibilité, capacité de jonction.

Dispositifs discrets:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (entrée/sortie/retour).

Photodétecteurs: courant sombre (ID), capacité de jonction (Ct), tension de rupture inverse (VBR), réactivité (R).

Les cellules solaires en pérovskite:tension en circuit ouvert (VOC), courant de court-circuit (ISC), puissance maximale (Pmax), tension maximale (Vmax), courant maximal (Imax), facteur de remplissage (FF), efficacité (η),Résistance en série (Rs), Résistance à la déviation (Rsh), Capacité de jonction.

Les LED/OLED/QLED: Voltage avant (VF), courant de seuil (Ith), tension inverse (VR), courant inverse (IR), capacité de jonction.



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Détails Des Produits

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Systèmes d'essai des semi-conducteurs
Created with Pixso. Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

Nom De Marque: PRECISE INSTRUMENT
Nombre De Pièces: 1 Unité
Détails De L'emballage: Une boîte.
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Nom de marque:
PRECISE INSTRUMENT
Fréquence des essais:
10 Hz à 1 MHz
Précision:
±0,01 %
Plage d'essai de la capacité:
0.01pF ¥ 9.9999F
Quantité de commande min:
1 Unité
Détails d'emballage:
Une boîte.
Délai de livraison:
2 à 8 semaines
Conditions de paiement:
T/T
Capacité d'approvisionnement:
500 SET/MONTH
Mettre en évidence:

Appareil de puissance par semi-conducteur de 1 MHz

,

Dispositif d'alimentation par semi-conducteur de 10 Hz

,

Système de caractérisation des semi-conducteurs CV

Description du produit

Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz

La mesure de la capacité-tension (C-V) est largement utilisée pour caractériser les paramètres des semi-conducteurs, en particulier dans les condensateurs MOS (MOS CAP) et les structures MOSFET.La capacité d'une structure MOS est fonction de la tension appliquéeLa courbe représentant la variation de la capacité avec la tension est appelée courbe C-V (ou caractéristiques C-V).

·Épaisseur de la couche d'oxyde (dox)

·Concentration de dopage dans le substrat (Nn)

·Densité de charge mobile dans l'oxyde (Q1)

·Densité de charge d'oxyde fixe (Qfc).

 

Caractéristiques du produit

Plage de fréquences large: 10 Hz ∼1 MHz avec des points de fréquence réglables en continu.

"Précision élevée et large plage dynamique": plage de biais de 0 V à 3500 V avec une précision de 0,1%.

Test CV intégré: Le logiciel de test CV automatisé intégré prend en charge plusieurs fonctions, notamment C-V (tension-capacitance), C-T (temps-capacitance) et C-F (fréquence-capacitance).

IV Compatibilité d'essai: mesure simultanément les caractéristiques de rupture et le comportement du courant de fuite.

Planning de courbe en temps réel: une interface logicielle intuitive visualise les données de test et les courbes pour une surveillance en temps réel.

Haute évolutivité: la conception modulaire du système permet une configuration flexible en fonction des besoins de test.


Paramètres du produit

Les postes

Paramètres

Fréquence des essais

10 Hz à 1 MHz

Précision de sortie de fréquence

± 0,01%

La précision de base

± 0,5%

Niveau du signal d'essai CA

Résolution de 10 mV à 2 Vrms (1m Vrms)

Niveau du signal d'essai CC

10 mV à 2 V (1 m Vrms résolution)

Impédance de sortie

100Ω

Plage d'essai de la capacité

0.01pF ¥ 9.9999F

Plage de biais du VGS

Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage.

Plage de biais VDS

300 V à 1200 V

Paramètres d'essai

DIODE:CJ,IR,VR

MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS Les données sont fournies par les fournisseurs.

IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES, qui est le nombre de points de contact entre les équipements de l'unité et les équipements de l'autre.

Interface

Résistance à la combustion

Protocole de programmation

SCPI, vue du laboratoire.

 

Applications

Nanomatériaux: résistivité, mobilité du support, concentration du support, tension de hall

Matériaux flexibles: essai de traction/torsion/flexion, temps de tension (V-t), temps de courant (I-t), temps de résistance (R-t), résistance, sensibilité, capacité de jonction.

Dispositifs discrets:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (entrée/sortie/retour).

Photodétecteurs: courant sombre (ID), capacité de jonction (Ct), tension de rupture inverse (VBR), réactivité (R).

Les cellules solaires en pérovskite:tension en circuit ouvert (VOC), courant de court-circuit (ISC), puissance maximale (Pmax), tension maximale (Vmax), courant maximal (Imax), facteur de remplissage (FF), efficacité (η),Résistance en série (Rs), Résistance à la déviation (Rsh), Capacité de jonction.

Les LED/OLED/QLED: Voltage avant (VF), courant de seuil (Ith), tension inverse (VR), courant inverse (IR), capacité de jonction.