Nom De Marque: | PRECISE INSTRUMENT |
Nombre De Pièces: | 1 Unité |
Délai De Livraison: | 2 à 8 semaines |
Conditions De Paiement: | T/T |
Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz
La mesure de la capacité-tension (C-V) est largement utilisée pour caractériser les paramètres des semi-conducteurs, en particulier dans les condensateurs MOS (MOS CAP) et les structures MOSFET.La capacité d'une structure MOS est fonction de la tension appliquéeLa courbe représentant la variation de la capacité avec la tension est appelée courbe C-V (ou caractéristiques C-V).
·Épaisseur de la couche d'oxyde (dox)
·Concentration de dopage dans le substrat (Nn)
·Densité de charge mobile dans l'oxyde (Q1)
·Densité de charge d'oxyde fixe (Qfc).
Caractéristiques du produit
▪Plage de fréquences large: 10 Hz ∼1 MHz avec des points de fréquence réglables en continu.
▪"Précision élevée et large plage dynamique": plage de biais de 0 V à 3500 V avec une précision de 0,1%.
▪Test CV intégré: Le logiciel de test CV automatisé intégré prend en charge plusieurs fonctions, notamment C-V (tension-capacitance), C-T (temps-capacitance) et C-F (fréquence-capacitance).
▪IV Compatibilité d'essai: mesure simultanément les caractéristiques de rupture et le comportement du courant de fuite.
▪Planning de courbe en temps réel: une interface logicielle intuitive visualise les données de test et les courbes pour une surveillance en temps réel.
▪Haute évolutivité: la conception modulaire du système permet une configuration flexible en fonction des besoins de test.
Paramètres du produit
Les postes |
Paramètres |
Fréquence des essais |
10 Hz à 1 MHz |
Précision de sortie de fréquence |
± 0,01% |
La précision de base |
± 0,5% |
Niveau du signal d'essai CA |
Résolution de 10 mV à 2 Vrms (1m Vrms) |
Niveau du signal d'essai CC |
10 mV à 2 V (1 m Vrms résolution) |
Impédance de sortie |
100Ω |
Plage d'essai de la capacité |
0.01pF ¥ 9.9999F |
Plage de biais du VGS |
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage. |
Plage de biais VDS |
300 V à 1200 V |
Paramètres d'essai |
DIODE:CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS Les données sont fournies par les fournisseurs. IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES, qui est le nombre de points de contact entre les équipements de l'unité et les équipements de l'autre. |
Interface |
Résistance à la combustion |
Protocole de programmation |
SCPI, vue du laboratoire. |
Applications
▪Nanomatériaux: résistivité, mobilité du support, concentration du support, tension de hall
▪Matériaux flexibles: essai de traction/torsion/flexion, temps de tension (V-t), temps de courant (I-t), temps de résistance (R-t), résistance, sensibilité, capacité de jonction.
▪Dispositifs discrets:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (entrée/sortie/retour).
▪Photodétecteurs: courant sombre (ID), capacité de jonction (Ct), tension de rupture inverse (VBR), réactivité (R).
▪Les cellules solaires en pérovskite:tension en circuit ouvert (VOC), courant de court-circuit (ISC), puissance maximale (Pmax), tension maximale (Vmax), courant maximal (Imax), facteur de remplissage (FF), efficacité (η),Résistance en série (Rs), Résistance à la déviation (Rsh), Capacité de jonction.
▪Les LED/OLED/QLED: Voltage avant (VF), courant de seuil (Ith), tension inverse (VR), courant inverse (IR), capacité de jonction.
Nom De Marque: | PRECISE INSTRUMENT |
Nombre De Pièces: | 1 Unité |
Détails De L'emballage: | Une boîte. |
Conditions De Paiement: | T/T |
Système de test C-V pour appareil à semi-conducteurs de 10 Hz à 1 MHz
La mesure de la capacité-tension (C-V) est largement utilisée pour caractériser les paramètres des semi-conducteurs, en particulier dans les condensateurs MOS (MOS CAP) et les structures MOSFET.La capacité d'une structure MOS est fonction de la tension appliquéeLa courbe représentant la variation de la capacité avec la tension est appelée courbe C-V (ou caractéristiques C-V).
·Épaisseur de la couche d'oxyde (dox)
·Concentration de dopage dans le substrat (Nn)
·Densité de charge mobile dans l'oxyde (Q1)
·Densité de charge d'oxyde fixe (Qfc).
Caractéristiques du produit
▪Plage de fréquences large: 10 Hz ∼1 MHz avec des points de fréquence réglables en continu.
▪"Précision élevée et large plage dynamique": plage de biais de 0 V à 3500 V avec une précision de 0,1%.
▪Test CV intégré: Le logiciel de test CV automatisé intégré prend en charge plusieurs fonctions, notamment C-V (tension-capacitance), C-T (temps-capacitance) et C-F (fréquence-capacitance).
▪IV Compatibilité d'essai: mesure simultanément les caractéristiques de rupture et le comportement du courant de fuite.
▪Planning de courbe en temps réel: une interface logicielle intuitive visualise les données de test et les courbes pour une surveillance en temps réel.
▪Haute évolutivité: la conception modulaire du système permet une configuration flexible en fonction des besoins de test.
Paramètres du produit
Les postes |
Paramètres |
Fréquence des essais |
10 Hz à 1 MHz |
Précision de sortie de fréquence |
± 0,01% |
La précision de base |
± 0,5% |
Niveau du signal d'essai CA |
Résolution de 10 mV à 2 Vrms (1m Vrms) |
Niveau du signal d'essai CC |
10 mV à 2 V (1 m Vrms résolution) |
Impédance de sortie |
100Ω |
Plage d'essai de la capacité |
0.01pF ¥ 9.9999F |
Plage de biais du VGS |
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage. |
Plage de biais VDS |
300 V à 1200 V |
Paramètres d'essai |
DIODE:CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS Les données sont fournies par les fournisseurs. IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES, qui est le nombre de points de contact entre les équipements de l'unité et les équipements de l'autre. |
Interface |
Résistance à la combustion |
Protocole de programmation |
SCPI, vue du laboratoire. |
Applications
▪Nanomatériaux: résistivité, mobilité du support, concentration du support, tension de hall
▪Matériaux flexibles: essai de traction/torsion/flexion, temps de tension (V-t), temps de courant (I-t), temps de résistance (R-t), résistance, sensibilité, capacité de jonction.
▪Dispositifs discrets:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (entrée/sortie/retour).
▪Photodétecteurs: courant sombre (ID), capacité de jonction (Ct), tension de rupture inverse (VBR), réactivité (R).
▪Les cellules solaires en pérovskite:tension en circuit ouvert (VOC), courant de court-circuit (ISC), puissance maximale (Pmax), tension maximale (Vmax), courant maximal (Imax), facteur de remplissage (FF), efficacité (η),Résistance en série (Rs), Résistance à la déviation (Rsh), Capacité de jonction.
▪Les LED/OLED/QLED: Voltage avant (VF), courant de seuil (Ith), tension inverse (VR), courant inverse (IR), capacité de jonction.